基本概念
集成电路：是指半导体集成电路，即以半导体材料为基片，将至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路集成在基片之中或者基片之上，以执行某种电子功能的中间产品或者最终产品。
集成电路布图设计（简称布图设计）：是指集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置，或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。
布图设计权利人：是指依照本条例的规定，对布图设计享有专有权的自然人、法人或者其他组织。
对布图设计的复制：是指重复制作布图设计或者含有该布图设计的集成电路的行为；
商业利用布图设计：是指为商业目的进口、销售或者以其他方式提供受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品的行为。
对集成电路布图设计保护的历史
法律制度的诞生和发展
美国是第一个通过立法对集成电路布图设计进行保护的国家，同时也是积极推动世界其他国家以及在制订相应的国际公约中保护集成电路的国家。在对集成电路布图设计立法保护的过程中，美国走过了积极探索的道路，并为当今世界各国对集成电路布图设计立法保护奠定了基础。
1947年2月23日，在美国的贝尔实验室，巴丁、布拉顿和肖克莱发明了世界上第一只晶体管，为集成电路布图设计的诞生和发展奠定了基础；1958年，美国得克萨斯仪器公司首次在一块硅片上制成包括晶体管、电阻、电容的振荡器，标志着集成电路的诞生；1959年，美国仙童公司利用PN结隔离技术在氧化膜上制作连线，发明了制作集成电路的硅平面工艺技术并申报了专利，从而奠定了现代集成电路发展的基础。
在美国的带动下，1985年日本也颁布了《半导体集成电路的线路布局法》，其内容与美国的法律非常相似。欧共体也于1986年颁布了《关于保护半导体芯片产品拓扑图的委员会指令》。随后，瑞典、德国、荷兰、法国、西班牙等国都陆续通过制订专门法的形式开始保护集成电路布图设计。
在这种历史背景下，1989年世界知识产权组织（WIPO）在华盛顿缔结了《关于集成电路的知识产权条约》（即华盛顿条约）。在1994年的Trips协议中又规定对集成电路布图设计进行保护，这样就使得所有WTO成员国都必须对集成电路布图设计进行保护，从而使得对集成电路布图设计的立法保护从少数国家一跃成为全体WTO成员国都必须保护的内容。
1.2.2 我国对集成电路布图设计保护的历史
２００１年4月，我国颁布了《集成电路布图设计保护条例》，自此我国开始保护保护集成电路布图设计。
随后，我国的国家知识产权局根据上述条例又先后颁布了《集成电路布图设计保护条例实施细则》（2001）及相关部门规章，最高人民法院颁布了《关于开展涉及集成电路布图设计案件审判工作的通知》（2001）。这样就使得我国的集成电路布图设计保护初步形成了配套的法律法规体系。
我国实施保护的方式及主要内容
主要条件和要求
1、在我国，布图设计专有权必须经过国家知识产权局登记产生，没有经过登记的布图设计不受法律保护。
2、无论是否登记或者投入商业利用，布图设计自创作完成之日起１５年后，不再受本条例保护。
3、我国同时规定，布图设计自其在世界任何地方首次商业利用之日起２年内，未向国家知识产权局提出登记申请的，国家知识产权局不再予以登记。
保护的主要事项
在我国，布图设计权利人享有下列两项具体的权能：
（1）对受保护的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分进行复制。
（2）将受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品投入商业利用。
在我国，布图设计专有权的保护期为１０年，自布图设计登记申请之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算，以较前日期为准。
对行使权利的限制
在我国，在权利行使的限制包括三个方面：合理使用、权利穷竭和非自愿许可。
这里需要特别注意的是，非自愿许可与一般意义上的强制许可是不同的，强制许可是在申请人向权利人正常申请没有获得权利人许可的前提下，又经过申请人向政府主管部门申请后，政府主管部门裁决让申请人在允许的时间和范围内实施该权利的一种方式；而非自愿许可则不同。
权利穷竭，有的也称为权利用尽、权利一次销售用尽，是指受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品，由布图设计权利人或者经其许可投放市场后，他人再次商业利用的，可以不经布图设计权利人许可，并不向其支付报酬。
非自愿许可，是指在国家出现紧急状态或者非常情况时，或者为了公共利益的目的，或者经人民法院、不正当竞争行为监督检查部门依法认定布图设计权利人有不正当竞争行为而需要给予补救时，国务院知识产权行政部门可以给予使用其布图设计的非自愿许可。
侵权的法律责任
目前，在我国，承担的侵权责任包括民事责任和行政责任两类。
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